SS050M2R20B1F-0407


Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В

Купить SS050M2R20B1F-0407 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SS050M2R20B1F-0407
Версия для печати

Технические характеристики SS050M2R20B1F-0407

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение50 В
Шаг выводов1.5 мм
Срок службы1000 Ч
Размер корпусаф 4x7
Рабочая температура-40...105 °C
For Super Miniature
Емкость2.2 мкФ
СерияSS
Корпус (размер)Radial
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт     1 600 3.19 
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт   INTERNATIONAL RECTIFIER 112 цена радиодетали
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6302TR Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт   VBSEMI 92 4.06 
  MMBT2907ALT1G Полевой транзистор SMD   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT2907ALT1G Полевой транзистор SMD     103 15.12 
  MMBT2907ALT1G Полевой транзистор SMD   ONS 91 500 1.69 
  MMBT2907ALT1G Полевой транзистор SMD   ON SEMICONDUCTOR 5 858 цена радиодетали
  MMBT2907ALT1G Полевой транзистор SMD   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT2907ALT1G Полевой транзистор SMD   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PRTR5V0U2X.215     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PRTR5V0U2X.215     NEX-NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PRTR5V0U2X.215       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PRTR5V0U2X.215     NXP/NEXPERIA 30 10.87 
SH016M1000B5S-1015 (16V 1000UF/10*15/105°) Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный     648 28.70 
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   КРЕМНИЙ 400 32.79 
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   БРЯНСК 61 366 33.92 
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   САРАНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   31985 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ814В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   44836 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход