|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
|
1 600
|
3.26
|
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
112
|
|
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TR |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
VBSEMI
|
3 536
|
4.79
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
3.56
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
125 232
|
2.25
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PRTR5V0U2X.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PRTR5V0U2X.215 |
|
|
NEX-NXP
|
1 200
|
7.23
|
|
|
|
PRTR5V0U2X.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
PRTR5V0U2X.215 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
1 369
|
10.71
|
|
|
|
SH016M1000B5S-1015 (16V 1000UF/10*15/105°) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
862
|
23.00
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
628
|
26.46
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 512
|
33.60
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|