Версия для печати
Технические характеристики LM833DT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	Audio
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	7 V/µs
Полоса пропускания	15MHz
Ток - входного смещения	300nA
Напряжение входного смещения	300µV
Ток выходной	4mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	5 V ~ 30 V, ±2.5 V ~ 15 V
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL INSTRUMENT
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MOTOROLA
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ON SEMICONDUCTOR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	PHILIPS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A		22 985	1.52
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ST MICROELECTRONICS	202	12.78
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	DC COMPONENTS	7 744	4.00
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	SMK
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIRCHILD
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIRCHILD	246
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL INSTRUMENT
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL SEMICONDUCTOR	172
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MOTOROLA	4
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ON SEMICONDUCTOR	35
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	PHILIPS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	Fairchild Semiconductor
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	Vishay/Semiconductors
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	STMicroelectronics
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAGOR	16
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	КИТАЙ	26	10.93
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	KINGTRONICS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MASTER INSTRUMENT	400	10.93
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MIG	3 528	3.18
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LGE	2 640	2.07
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MIC	67	3.18
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	YANGJIE	4 000	1.94
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	HOTTECH	4 800	1.13
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	TRR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	1
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	KEEN SIDE	3 284	1.15
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	4410
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	84
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	RUME	8 000	1.13
		3314G 50K
		74F32DR (SN74F32DR)			TEXAS INSTRUMENTS
		74F32DR (SN74F32DR)
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		764	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	476	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.77
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	20 831	10.52
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	3 958	3.47
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	6 400	3.57
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	32.01
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	842	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	17 263	4.70
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"