FFA60UA60DN
|
DIODE ULTRAFAST 600V 60A TO-3PN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3PN |
| Корпус | TO-3PN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт |
|
177.92 | ||
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D | FAIR |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | FSC |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
|||||
|
|
HGTG20N60A4D | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | ONS |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | ONS-FAIR |
|
|
||||
|
|
HGTG20N60A4D | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
