BZV55C30

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BZV55C30	9 868	1.32 >100 шт. 0.66
BZV55C30 (HOTTECH)	6	1.13
BZV55C30 (WUXI XUYANG)	30 508	1.23
BZV55C30 (SEMTECH)	857	1.47

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10FDZ-ST			16	192.00
10FDZ-ST		JST
GRM21BR71E105KA99L		MURATA	1	2.07
GRM21BR71E105KA99L		MURATA
GRM21BR71E105KA99L		Murata Electronics North America
GRM21BR71E105KA99L		MUR	58 644	1.02
GRM21BR71E105KA99L
GRM21BR71E105KA99L		MURA
GRM43DR72J104KW01L	Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	MURATA
GRM43DR72J104KW01L	Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).
GRM43DR72J104KW01L	Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	Murata Electronics North America
GRM43DR72J104KW01L	Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	MUR	159 653	8.28
GRM43DR72J104KW01L	Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	MURATA
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.66
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
TECAP 100/10V D 10 LOWESR	Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В	VISHAY
TECAP 100/10V D 10 LOWESR	Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В