IRFR1018EPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR1018EPBF (INFINEON)	2 320	88.86

Версия для печати

Технические характеристики IRFR1018EPBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	79A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 50V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR1018EPBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFR1018EPBF datasheet
367 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BH1750FVI-TR		Rohm Semiconductor
BH1750FVI-TR		ROHM	1 723	58.93
BH1750FVI-TR
CD4023BM		TEXAS INSTRUMENTS
CD4023BM		TEXAS INSTRUMENTS	1 280
CD4023BM
CD4023BM		TEXAS
CD4023BM		4-7 НЕДЕЛЬ	31
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FAIR
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FSC
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET		14	379.26
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	Fairchild Semiconductor
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	США
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FSC1
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FAIRCHILD
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ONS
FQPF6N90C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ONS-FAIR
SHT31-DIS-B		SENSIRION
SHT31-DIS-B
SHT31-DIS-B		SENSIR
TRKA-12VDC-FD-AP-R		TTI	51	254.40
TRKA-12VDC-FD-AP-R