|
|
Версия для печати
| Коммутируемое напряжение | Пост/перем. |
| Управляющий ток,мА | 10 |
| Выходной каскад | МОП реле(2з) |
| Контакты | НР |
| Коммутируемое пост.напряжение ,В | -400...400 |
| Коммутируемое переменное напряжение ,В | 0...400 |
| Максимальный ток нагрузки ,А | 0.06 |
| Время включения макс.,мс | 2 |
| Время выключения макс,,мс | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом | 40 |
| Напряжение изоляции,кВ | 1.5 |
| Рабочая температура, С | -45...85 |
| Корпус | DIP-8 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 16В (4X5) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
|
13.60 | ||||
| 2SK2382 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK2382 |
|
|
||||||
| 2SK2382 | TOS |
|
|
|||||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
|
130.36 | ||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|
||||
| ПП3-43-100 ОМ 10% |
|
|