Версия для печати
Технические характеристики КР293КП3В

Коммутируемое напряжение	Пост/перем.
Управляющий ток,мА	10
Выходной каскад	МОП реле(2з)
Контакты	НР
Коммутируемое пост.напряжение ,В	-400...400
Коммутируемое переменное напряжение ,В	0...400
Максимальный ток нагрузки ,А	0.06
Время включения макс.,мс	2
Время выключения макс,,мс	2
Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом	40
Напряжение изоляции,кВ	1.5
Рабочая температура, С	-45...85
Корпус	DIP-8

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 251	4.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 792	3.85
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		5 600	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	74 640	0.70  >1000 шт.   0.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.05
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	EPCOS	21 508	15.10
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	EPCOS Inc
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	КИТАЙ
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	EPCOS
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	EPCS
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	TDK EPCOS
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	TDK (EPCOS)
		B32922C3104M		Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм	TDK-EPC
		B32922C3474M			EPCOS	388	28.46
		B32922C3474M
		B32922C3474M			EPCOS Inc
		B32922C3474M
		B32922C3474M			КИТАЙ
		B32922C3474M			TDK EPCOS
		B32922C3474M			TDK
		B32922C3474M			TDK-EPC
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR
		GS1G			PANJIT
		GS1G			DC COMPONENTS	436 794	1.55
		GS1G				7 920	1.27
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		GS1G			OTHER
		GS1G			PANJIT
		GS1G			MICROSEMI CORP
		GS1G			YT
		GS1G			HOTTECH
		GS1G			YANGJIE	20 000	1.25
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS	800	18.90
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	MOTOROLA
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ		176	22.20
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	UTC
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	MOTOROLA	3
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	149
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS SEMI	68
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMicroelectronics
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTR
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	1
		LM324D		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	4-7 НЕДЕЛЬ	132

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"