Версия для печати
Технические характеристики DEBB33D101KC1B

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	B
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	2 кВ
Тип диэлектрика	B
Номинальное напряжение	2 кВ
Рабочая температура	-25...85 °C
	High Voltage Ceramic Cap.(250V-6.3kV)
Емкость	100 пФ
Серия	DEB
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.177" Dia (4.50mm)
Высота	0.295" (7.50mm)
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	High Voltage
Lead Style	Straight

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	12 396	1.61
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	12.49
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	1	2.88
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ	8	1.50
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		1 724	2.40
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.20
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	299	58.73
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус			128.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTRONICS
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	YOUTAI	12 600	19.16
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	13 488	8.27
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	12.95
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	4 473	2.93
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	62 757	1.83
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	28 372	1.86
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)	ST MICROELECTRONICS
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)			340.00
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)	STMicroelectronics
		STP7NK80Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)	4-7 НЕДЕЛЬ	103

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"