STP7NK80Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP7NK80Z		340.00
STP7NK80Z (4-7 НЕДЕЛЬ)	103	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STP7NK80Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1138pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP7NK80Z (MOSFET)

N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP7NK80Z datasheet
431 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N6520		DC COMPONENTS
2N6520			4	15.12
2N6520		1
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	80	128.83
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
BYG20J	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс			13.20
KNP-1W-0.22 5%	Резистор постоянный проволочный	YAGEO
KNP-1W-0.22 5%	Резистор постоянный проволочный			5.28
MURS120		VISHAY
MURS120			6 117	2.19
MURS120		HOTTECH	4 244	2.99
MURS120		YJ	6 493	2.02
MURS120		KEXIN	10 816	2.49
MURS120		KEEN SIDE	6 100	1.20
MURS120		3800