|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BT145-800R,127 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BT145-800R,127 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT145-800R,127 |
|
|
WEEN
|
390
|
153.26
|
|
|
|
BT145-800R,127 |
|
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W 35A 1000V |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
|
68
|
80.19
|
|
|
|
KBPC5006 |
|
Диодный мост 1 фазный 50A, 600В
|
DC COMPONENTS
|
610
|
125.03
|
|
|
|
KBPC5006 |
|
Диодный мост 1 фазный 50A, 600В
|
|
|
189.20
|
|
|
|
KBPC5006 |
|
Диодный мост 1 фазный 50A, 600В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC5006 |
|
Диодный мост 1 фазный 50A, 600В
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G TO92 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.27
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
62 915
|
4.86
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|