100МКФ10В(5X11)105°C
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10FDZ-BT[S][LF][SN] | JST | 28 | 98.08 | |||||
| 10FDZ-BT[S][LF][SN] |
|
|
||||||
| 2EDGV-5.08-08P-14-00AH | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| 2EDGV-5.08-08P-14-00AH |
|
|
||||||
| BH-10 (IDC-10MS) (KLS1-202-10-S-B) | KLS |
|
|
|||||
 |
 |
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | NXP |
|
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor |
|
18.00 | ||
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | NXP |
|
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | PHILIPS | 40 |
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | JSMICRO | 4 554 | 3.81 | |
| CC0805KRX7R9BB104 /ЧИП 0805-0,1 МКФ-10% X7R 50В /YAGEO |
|
|
