Версия для печати
Технические характеристики NJM78L03UA-TE1

Корпус	SOT89
Номинальный выходной ток,мА	0.1
Максимальное входное напряжение, В	36
Выходное напряжение, В	3.15

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	327 936	2.96
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		90 056	1.16  >100 шт.   0.58
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	70	1.80
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 171	1.46
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	492 198	1.03
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	1 024
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	2 411	1.41  >500 шт.   0.47
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	103 576	1.08  >500 шт.   0.36
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	56 773	1.18  >100 шт.   0.59
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	105 600	1.26  >500 шт.   0.42
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSMICRO	360 421	1.14  >500 шт.   0.38
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	XXW	198 132	1.05  >500 шт.   0.35
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGZHOU YANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KEEN SIDE	12 662	1.32  >500 шт.   0.44
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 673	2.12
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	236	1.49
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	11 921	1.34
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.22
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	8	3.14
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		33 598	1.32  >100 шт.   0.66
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	5 296	0.75  >500 шт.   0.25
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.10
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	59 465	2.07
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	34 009	1.30  >100 шт.   0.65
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	10 902	1.23
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	XXW	55 348	1.41  >500 шт.   0.47
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	51 044	1.12  >100 шт.   0.56
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	51 621	1.62
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 024	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		101 444	1.28  >100 шт.   0.64
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	404 412	1.47  >500 шт.   0.49
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	55 200	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 010	1.13
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	588 953	1.68  >100 шт.   0.84
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	799	1.08  >100 шт.   0.54
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	434 318	1.06
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	1.98  >100 шт.   0.99
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	427 123	1.26  >500 шт.   0.42
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	1 232	1.38  >500 шт.   0.46
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	VISHAY
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET			13.24
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ФИЛИППИНЫ
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SHIKUES
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	74 653	1.66
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KLS	817	4.86
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SUNTAN	48 446	3.40
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE	6	3.23
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEEN SIDE	11 684	2.34
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	MAXIM
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...			268.00
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	MAX
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	Maxim Integrated Products
		MAX1472AKA+T		ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц для передачи данных до 100кбит/с. ФАПЧ с ...	4-7 НЕДЕЛЬ	604

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"