| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
|
|
52.00
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
2SA1358 |
|
Транзистор PNP 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SC3421 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SC3421 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
|
|
52.00
|
|
|
|
|
2SC3421 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SC3421 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
2SC3421 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
|
2SC3421 |
|
Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
|
|
21.20
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC78L12ABDG |
|
Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
45
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
1 034.56
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
26
|
592.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 473.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
31
|
1 093.12
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
184
|
1 110.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
102
|
1 547.60
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
14
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
82
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
84
|
|
|
|
Версия для печати
