BC807,215

TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23

Версия для печати

Технические характеристики BC807,215

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	80MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC807,215 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM219R61E106KA12D		MUR
GRM219R61E106KA12D
GRM219R61E106KA12D		MURATA	24	15.01
GRM219R61E106KA12D
RC0603FR-07300RL		YAGEO	544	1.03
RC0603FR-07300RL				2.00
RC0603FR-07300RL		YAGEO	3 636
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS	2 924	158.10
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).		8	226.80
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS SEMI
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMicroelectronics
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	КИТАЙ
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRO
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMICROELECTR
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	4-7 НЕДЕЛЬ
STM32F427VGT6		ST MICROELECTRONICS
STM32F427VGT6
STM32F427VGT6
STM32F427VGT6		ST MICROELECTRONICS SEMI
STM32F427VGT6		4-7 НЕДЕЛЬ
STM32F427VGT6		STMICROELECTRONICS	70	459.18
МЛТ-1-10 ОМ-10%			284	5.58