IRF7313
N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7313 (N-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BC817,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BC817,215 |
|
NEX |
|
|
||
 |
|
NTMD6N03R2 |
|
Power mosfet 30 v, 6 a, dual n?channel soic?8 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NTMD6N03R2 |
|
Power mosfet 30 v, 6 a, dual n?channel soic?8 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
 |
|
STP65NF06 |
|
N-channel 60v - 11.5m? - 60a - to-220 stripfettm ii power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP65NF06 |
|
N-channel 60v - 11.5m? - 60a - to-220 stripfettm ii power mosfet | 440 | 40.07 | ||
|
|
|
STP65NF06 |
|
N-channel 60v - 11.5m? - 60a - to-220 stripfettm ii power mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP65NF06 |
|
N-channel 60v - 11.5m? - 60a - to-220 stripfettm ii power mosfet | ST1 |
|
|
|
|
|
|
STP65NF06 |
|
N-channel 60v - 11.5m? - 60a - to-220 stripfettm ii power mosfet | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| ГУБКА ДЛЯ ОЧИСТКИ ЖАЛ Ф50 |
|
|
||||||
| К15-5-3КВ-2200 Н20 |
|
Керамический высоковольтный конденсатор 2200 пФ 3000 В |
|
12.84 |
