BFG425W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFG425W		55.44
BFG425W (PHILIPS.)	365	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BFG425W

Корпус	CMPAK-4
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Тип монтажа	Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max)	30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 25mA, 2V
Gain	20dB
Power - Max	135mW
Noise Figure (dB Typ @ f)	0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Frequency - Transition	25GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	4.5V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFG425W (Радиочастотные биполярные транзисторы)

Npn 25 Ghz Wideband Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BFG425W datasheet
115.49Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0402-Y5V-0.10UF 20% 16V	Керамический конденсатор 0.10 мкФ 16 В	MURATA
0402-Y5V-0.10UF 20% 16V	Керамический конденсатор 0.10 мкФ 16 В			0.84 >500 шт. 0.28
0603-33К 5%	ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
0603-33К 5%	ЧИП — резистор		40	1.52 >100 шт. 0.76
0603-820 5%	ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
0603-820 5%	ЧИП — резистор		88	1.52 >100 шт. 0.76
0603-NP0-30PF 5% 50V	Керамический конденсатор 30 пФ 50 В	MURATA
0603-NP0-30PF 5% 50V	Керамический конденсатор 30 пФ 50 В		192	1.76 >100 шт. 0.88
SA636DK	ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20		2	166.50
SA636DK	ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20	PHILIPS
SA636DK	ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20	PHILIPS
SA636DK	ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20	4-7 НЕДЕЛЬ	312