| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 150 КОМ 5% |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
|
0805 150 КОМ 5% |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
|
0805 150 КОМ 5% |
|
|
EXTRA COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
|
|
99.44
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
ST MICROELECTRONICS
|
4
|
331.84
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
|
|
242.92
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛА1 |
|
|
|
51
|
45.36
|
|
|
|
|
К555ЛА1 |
|
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛА1 |
|
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛА1 |
|
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛА1 |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
|
918
|
37.48
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МЕЗОН
|
80
|
113.65
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
RUS
|
|
|
|