0805 150 КОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 200ОМ 5%
0805 4.7 КОМ 5%		ROYALOHM
0805 4.7 КОМ 5%		FENGHUA
0805 4.7 КОМ 5%		TAIWAN
0805 4.7 КОМ 5%		VIKING
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	RECTIFIER
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W			99.44
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	Vishay/Siliconix
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	ИНДОНЕЗИЯ
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY/IR
IRFBC40	Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	КИТАЙ
R0805-510 ОМ-5%			10 860	1.85
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		1 024	34.02
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	232	86.79
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS