|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-DIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -25°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 11 V ~ 18 V |
| Current - Startup | 50µA |
| Mode | Discontinuous (Transition) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
L6561 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Power Factor Corrector Также в этом файле: L6561D
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3568 |
|
N-MOS 500V, 12A, 40W | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SK3568 |
|
N-MOS 500V, 12A, 40W |
|
220.00 | ||||
| 2SK3568 |
|
N-MOS 500V, 12A, 40W | TOS |
|
|
|||
|
|
P4NK60ZFP | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
P4NK60ZFP |
|
212.00 | |||||
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON | 1 | 259.21 | |
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом |
|
575.64 | ||
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON TECH |
|
|
|
| TEA1506T | NXP |
|
|
|||||
| TEA1506T | 1 | 234.36 | ||||||
| TEA1506T | 1 | 234.36 | ||||||
| TEA1506T | PHILIPS |
|
|
|||||
| TEA1506T | 1 |
|
|
|||||
| TEA1506T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 720 |
|
|||||
|
|
TL3845P |
|
758.84 | |||||
|
|
TL3845P | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
TL3845P | TEXAS INSTR |
|
|
||||
|
|
TL3845P | TEXAS INSTRUMENTS | 29 |
|
||||
|
|
TL3845P | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TL3845P | 4-7 НЕДЕЛЬ | 304 |
|