Версия для печати
Технические характеристики L6561

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	11 V ~ 18 V
Current - Startup	50µA
Mode	Discontinuous (Transition)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6561 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Power Factor Corrector Также в этом файле: L6561D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6561 datasheet 117.79Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	3 465	7.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		965	2.73
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	30 189	10.48
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 142	9.30
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	300	4.81
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	51 096	4.13
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	5.54
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	9.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	10 784	1.71
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	2 400	2.14
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	37 200	2.31
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.55
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	80	3.09
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		EL817			EVERLIGHT
		EL817			EVE
		EL817				115	9.30
		EL817			EVL	3 344	3.30
		EL817			4-7 НЕДЕЛЬ
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FNR	6 015	10.23
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор		4 347	9.30
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	FENGHUA	285 160	6.22
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	430V 14MM
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	ALCO
		FNR-14K431		430В 75.0 Дж, варистор	BRIGHT RING
		MKP1V240G			ON SEMICONDUCTOR
		MKP1V240G			ONS
		MKP1V240G
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS	5	66.60
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRO
		STP11NK50ZFP		N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"