| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
4
|
136.16
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
208
|
307.40
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
 |
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
|
4 939
|
3.33
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
РОССИЯ
|
10
|
4.55
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
|
705
|
41.58
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
5 575
|
17.60
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
880
|
46.49
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
6969
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
374
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
1 727
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
947
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.46
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
476
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
19.07
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
Версия для печати
