|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
|
|
35.20
|
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
США
|
|
|
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NEX
|
|
|
|
|
|
74HC164N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
708
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ONS
|
47 087
|
2.03
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 070
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA
|
26 952
|
2.32
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MUR
|
130 756
|
1.16
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
|
1
|
5.84
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG600SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 60 Ом +25% 3А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
ВАЗЕЛИН СИЛИКОНОВЫЙ КВ-3, 4 Г. |
|
|
|
|
78.00
|
|
|
|
ЭКР1533ИР8 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|