Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | SWITCHMODE™ |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 15A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 45V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 7.5A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
|
22 612
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
43
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
224 408
|
1.17
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YJ
|
2 880 766
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
JSCJ
|
194 671
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
SUNTAN
|
604
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 820
|
2.11
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.48
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 327
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
636 766
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
710 523
|
1.21
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
58 746
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
184 800
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
2 014
|
3.35
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
800
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
2 394
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
73 080
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
США
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
8 886
|
5.43
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
700 419
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
---
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
285
|
11.69
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
79 985
|
1.52
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
8 000
|
1.56
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
38 289
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
JUXING
|
2 369
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
94.50
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
23 696
|
12.12
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
|
5 612
|
8.82
|
|