|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 615
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
10 226
|
1.82
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
2 127
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
842 078
|
1.23
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
709 568
|
1.08
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
51 526
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.06
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
150 518
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
74 911
|
1.12
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
29 502
|
2.12
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
5.71
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
33 477
|
2.49
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
1 389 364
|
1.38
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 278 932
|
1.21
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
101
|
1.72
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
1 220 435
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
894
|
3.30
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
800
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
2 394
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
70 680
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
США
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
8 886
|
5.38
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
691 944
|
1.10
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
---
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
85
|
11.54
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
72 190
|
1.45
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
8 000
|
1.63
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
37 849
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
JUXING
|
42 329
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
94.50
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
23 542
|
12.56
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
|
5 452
|
8.82
|
|