|
Версия для печати
| Power - Max | 143W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 49nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mohm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR3310 -5-T | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR3310 -5-T |
|
|
||||||
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 4 | 132.30 | |
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт | 964 | 37.18 | ||
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
| IRLR2905PBF |
|
ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| IRLR2905PBF |
|
ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| IRLR2905PBF |
|
ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK |
|
|
||||
| IRLR2905PBF |
|
ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | INFINEON |
|
|
|||
| IRLR3636 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLR3636 | 1 920 | 45.52 | ||||||
| IRLR3636 | INFINEON |
|
|
|||||
|
|
|
IRLR3705Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR3705Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | 1 968 | 66.31 | ||
|
|
|
IRLR3705Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|