IRFHS8342TR2PBF
|
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-PowerVQFN |
| Корпус | 6-PQFN (2x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE3B0565J | INFINEON |
|
|
|||||
| ICE3B0565J | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| ICE3B0565J |
|
|
||||||
| ICE3B0565J | 4-7 НЕДЕЛЬ | 657 |
|
|||||
 |
 |
IRFHM831TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRFHM831TR2PBF |
|
INFINEON |
|
|
||
| IRFHM8329TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFHM8329TRPBF | INFINEON |
|
|
|||||
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В | YAGEO |
|
|
||
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
SH400M0033B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В |
|
|
|||
| ДИХЛОРЭТАН 500 МЛ |
|
|
