|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFHS8342TR2PBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IRFHS8342TR2PBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
415
|
123.64
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
847
|
107.74
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 200
|
72.54
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 336
|
112.17
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
20
|
871.20
|
|
|
|
RC0201JR-07100RL |
|
|
YAGEO
|
551 378
|
0.50
>1000 шт. 0.10
|
|
|
|
RC0201JR-07100RL |
|
|
PHYCOMP
|
6 666
|
|
|
|
|
ZIF SCLW-28 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
|
|
235.40
|
|
|
|
ZIF SCLW-28 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
ZHEN
|
|
|
|
|
|
ZIF SCLW-28 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
ZF
|
|
|
|
|
|
ZIF SCLW-28 ПАНЕЛЬ С НУЛЬ. УСИЛ. |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|