|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FDS6675 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
|
|
240.00
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDS6675 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
212
|
|
|
|
|
IRFHS8342TR2PBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IRFHS8342TR2PBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
415
|
122.76
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
752
|
107.74
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 116
|
72.59
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 333
|
85.14
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
13
|
871.20
|
|
|
|
RC0201JR-07100RL |
|
|
YAGEO
|
419 378
|
0.40
>1000 шт. 0.08
|
|
|
|
RC0201JR-07100RL |
|
|
PHYCOMP
|
6 666
|
|
|