Версия для печати
Технические характеристики IRF7904PBF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.2 mOhm @ 7.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.6A, 11A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	910pF @ 15V
Power - Max	1.4W, 2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7904PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRF7904PBF datasheet 256 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	12 560	7.45
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A		4	18.00
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MUR	121 247	3.73
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	85 564
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	Murata Electronics North America
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	ЯПОНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA*
		BNX003-01		Широкополосный фильтр 10А 150VDC 5MHz to 1GHz:40dB min 12x11x18 mm	MURATA
		BNX003-01		Широкополосный фильтр 10А 150VDC 5MHz to 1GHz:40dB min 12x11x18 mm	MUR
		BNX003-01		Широкополосный фильтр 10А 150VDC 5MHz to 1GHz:40dB min 12x11x18 mm			487.44
		BNX003-01		Широкополосный фильтр 10А 150VDC 5MHz to 1GHz:40dB min 12x11x18 mm	Murata Electronics North America
		BNX003-01		Широкополосный фильтр 10А 150VDC 5MHz to 1GHz:40dB min 12x11x18 mm	MURATA	32
		BNX003-01		Широкополосный фильтр 10А 150VDC 5MHz to 1GHz:40dB min 12x11x18 mm	MURATA*
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		LT1117CST-3.3 МИКРОСХЕМА, SO223-3 (LM1117MP-3.3/NOPB)			NSC
		LT1117CST-3.3 МИКРОСХЕМА, SO223-3 (LM1117MP-3.3/NOPB)			TEXAS INSTRUMENTS
		LT1117CST-3.3 МИКРОСХЕМА, SO223-3 (LM1117MP-3.3/NOPB)			LINEAR TECH
		MF-2MRA			TYCO
		MF-2MRA
		MF-2MRA			KLS
		MF-2MRA			NLT

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"