IRF7904PBF
Транзистор МОП N-канальный Dual, 30В
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.6A, 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 910pF @ 15V |
| Power - Max | 1.4W, 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7904PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | MURATA | 3 104 | 12.71 | ||
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | 8 | 32.80 | |||
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | MUR | 31 808 | 7.61 | ||
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | Murata Electronics North America |
|
|
||
| LM317LIDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LIDR | 4 |
|
||||||
| LM317LIDR | TEXAS | 5 979 | 20.84 | |||||
| LM317LIDR | 0.00 |
|
|
|||||
| LM317LIDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 788 |
|
|||||
| MF-6MA | BM |
|
|
|||||
| MF-6MA | 16 | 14.67 | ||||||
| MF-6MA | TYCO |
|
|
|||||
| MF-6MA | KLS |
|
|
|||||
| SY025M1500B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY025M1500B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 25 В |
|
|
||||
| SZ016M1500B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 16 В | YAGEO |
|
|
