|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
224 849
|
1.52
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 293
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
44 412
|
3.19
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.43
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
14 844
|
5.74
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
720 785
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
696
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
1 778 491
|
1.02
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
213 120
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
349 152
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
16 796
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
354 400
|
1.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
117 992
|
2.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
61 991
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 375 179
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
353 443
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 466
|
1.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 615 031
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
245 829
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
453 949
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
20 544
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
5.12
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
40
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
8 426
|
2.21
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
9 457
|
3.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
117 456
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
1 505 806
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
70 400
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.09
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 297 517
|
1.08
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
112 119
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
512 622
|
1.03
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
854 236
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
10 437
|
2.17
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
35 563
|
3.73
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
585 717
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 325
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.59
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
5 472
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
132 408
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
76 800
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
205 716
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
DC COMPONENTS
|
165 205
|
3.33
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
DIOTEC
|
5 744
|
9.87
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
|
3 184
|
40.70
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
MIC
|
12 404
|
6.81
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
---
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
LGE
|
1 683
|
7.13
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
DS COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
SM5819 |
|
Диод Шоттки SMD (40В, 1А/30А)
|
HOTTECH
|
6 629
|
5.84
|
|