|
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2890pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLHS6242TR2 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения |
|
48.44 | ||
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ONS |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | 4-7 НЕДЕЛЬ | 566 |
|
|
| SI2312BDS-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | 1 440 | 20.36 | ||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SI2312BDS-T1-E3 | 1 440 | 20.36 | ||||||
| SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY | 12 | 26.86 | |||||
| XMLAWT-00-0000-0000U2053 | CREE |
|
|
|||||
| XMLAWT-00-0000-0000U2053 |
|
|
||||||
| ZXLD381FHTA | ZTX |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | 1 | 162.54 | ||||||
| ZXLD381FHTA | ZETEX |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | DIODES |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | 1 |
|
|
|||||
| ZXLD381FHTA | 4-7 НЕДЕЛЬ | 334 |
|