IRLHS6242TR2

Версия для печати

Технические характеристики IRLHS6242TR2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1110pF @ 10V
Power - Max	1.98W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-PowerVDFN
Корпус	6-PQFN (2x2)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
IRF3717TRPBF		International Rectifier
IRF3717TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER	46
IRF3717TRPBF		INFINEON
SI2312BDS-T1-E3		SILICONIX
SI2312BDS-T1-E3			1 480	20.36
SI2312BDS-T1-E3		SILICONIX
SI2312BDS-T1-E3		VISHAY
SI2312BDS-T1-E3		Vishay/Siliconix
SI2312BDS-T1-E3			1 480	20.36
SI2312BDS-T1-E3		VISHAY	4 634	31.80
UC3846DW		TEXAS INSTRUMENTS
UC3846DW				471.32
UC3846DW		UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
UC3846DW		TEXAS
UC3846DW		UNITRODE (TI)	729	252.00
UC3846DW		1
UC3846DW		4-7 НЕДЕЛЬ	552
XMLAWT-00-0000-0000U2053		CREE
XMLAWT-00-0000-0000U2053