XMLAWT-00-0000-0000U2053

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
IRLHS6242TR2		INTERNATIONAL RECTIFIER
NCP1400ASN50T1G	Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTOR
NCP1400ASN50T1G	Импульсный стабилизатор напряжения			48.44
NCP1400ASN50T1G	Импульсный стабилизатор напряжения	ONS
NCP1400ASN50T1G	Импульсный стабилизатор напряжения	МАЛАЙЗИЯ
NCP1400ASN50T1G	Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTO
NCP1400ASN50T1G	Импульсный стабилизатор напряжения	4-7 НЕДЕЛЬ	286
SI2312BDS-T1-E3		SILICONIX
SI2312BDS-T1-E3			1 920	19.30
SI2312BDS-T1-E3		SILICONIX
SI2312BDS-T1-E3		VISHAY
SI2312BDS-T1-E3		Vishay/Siliconix
SI2312BDS-T1-E3			1 920	19.30
SI2312BDS-T1-E3		VISHAY	4 632	30.27
ZXLD381FHTA		ZTX
ZXLD381FHTA			1	162.54
ZXLD381FHTA		ZETEX
ZXLD381FHTA		Diodes/Zetex
ZXLD381FHTA		DIODES
ZXLD381FHTA		1
ZXLD381FHTA		4-7 НЕДЕЛЬ	550