IRLML9303TR
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-NP0-15PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 15 пФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| 0805-NP0-15PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 15 пФ 50 В |
|
1.20 | ||||
| NUD4001DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NUD4001DR2G | ONS | 108 | 103.74 | |||||
| NUD4001DR2G | ON SEMICONDUCTOR | 81 |
|
|||||
| NUD4001DR2G |
|
|
||||||
| NUD4001DR2G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NUD4001DR2G | 32 |
|
|
|||||
 |
 |
RMCF2512JT1R00 |
|
Stackpole Electronics Inc |
|
|
||
 |
КТ3130Г9 | 688 | 11.78 | |||||
|
|
КТ3130Г9 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | ДАЛЕКС |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | МИНСК | 4 | 16.96 | ||||
|
|
КТ3130Г9 | ЭЛЕКС |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | 6 |
|
|
||||
| ПЭВ-10-270 ОМ-5% | 3 | 27.75 |
