Версия для печати
Технические характеристики IRLML5203

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

IRLML5203 HEXFETand#174; Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRLML5203 datasheet 139.62Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD7997BRU-0REEL			ANALOG DEVICES
		AD7997BRU-0REEL			ANALOG DEVICES
		AD7997BRU-0REEL			Analog Devices Inc
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE	1	1.32
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.60
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	187 394	2.89
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	21 150	4.86
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	108 948	2.83
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 800	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	24 225	8.45
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	BOURNS	7 569	19.89
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...			75.20
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	ВОURNS
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LTL
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	10 952	12.27
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)			140.00
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	1
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	Littelfuse Inc
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	TECH PUB	13 167	6.21
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	MSKSEMI	7 026	4.90

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"