|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB3TG |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
|
|
|
|
|
|
IN555N (КР1006ВИ1) |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16
|
SAMSUNG
|
52
|
71.82
|
|
|
|
MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16
|
|
3
|
98.28
|
|
|
|
MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16
|
1
|
|
|
|
|
|
MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
304
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
3 304
|
58.81
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
К174ХА26 |
|
|
|
511
|
68.04
|
|
|
|
К174ХА26 |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
К174ХА26 |
|
|
ДЕЛЬТА
|
|
|
|
|
|
К174ХА26 |
|
|
ДИСК
|
|
|
|
|
|
К174ХА26 |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
К174ХА26 |
|
|
RUS
|
|
|
|