Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48V

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 43A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	72A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1985pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFZ48V (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFZ48V datasheet 188.2 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный			112.00
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный	КИТАЙ
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный	INFINEON
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	DC COMPONENTS
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	GULF SEMICONDUCTOR
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72			120.28
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	VISHAY/IR
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	DIOTEC
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	KINGTRONICS	160	41.33
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	VISHAY
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	YJ	312	26.86
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	SEMTECH	5 172	18.28
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	YANGJIE
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	YANGJIE (YJ)
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	KLS	1 760	36.16
		KBPC604		Диодный мост 6A 400B D-72	YANGZHOU YANGJIE
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	MICRO CHIP
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8			540.00
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	MICRO CHIP
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	Microchip Technology
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	4-7 НЕДЕЛЬ	104
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	40.60
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	52	40.60
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		16	102.06
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	JSMSEMI	5	39.22
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	714
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс		869	92.50
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ТАШКЕНТ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ФОТОН	200	212.00
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	RUS
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	СЗТП
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	РОССИЯ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	140
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	369

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"