|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB3TG |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
DB3TG |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
1
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
DC COMPONENTS
|
1 732
|
61.99
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
|
|
60.44
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YJ
|
11 945
|
36.26
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
GALAXY ME
|
576
|
49.01
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
HOTTECH
|
4 501
|
37.10
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
YANGJIE
|
640
|
28.67
|
|
|
|
KBU8M |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
RUME
|
6 080
|
22.93
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
HOTTECH
|
417
|
39.12
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
FAIRCHILD
|
12
|
22.51
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZHONGDI
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
БРЯНСК
|
790
|
132.30
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ISC
|
518
|
54.45
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
2 840
|
71.35
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|