IRF630NS
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Power - Max | 82W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF630N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1812-X7R-0.047UF 10% 1000V |
|
Керамический конденсатор 0.047 мкФ 1000 В | KOME |
|
|
|||
| 1812-X7R-0.047UF 10% 1000V |
|
Керамический конденсатор 0.047 мкФ 1000 В |
|
55.72 | ||||
 |
 |
C0805C102J1GACTU |
|
Kemet |
|
|
||
 |
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | VISHAY | 18 477 |
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | Vishay/Dale |
|
|
|
|
|
|
CRCW0805100RFKEA |
|
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 |
|
|
||
| RC0603FR-075R1 | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-075R1 | YAGEO |
|
|
|||||
 |
|
S1812R-105K |
|
API Delevan Inc |
|
|
