IRF630NS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF630NS (INTERNATIONAL RECTIFIER)	35	212.00
IRF630NS		81.44

Версия для печати

Технические характеристики IRF630NS

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	575pF @ 25V
Power - Max	82W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF630N (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A)

Также в этом файле: IRF630NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF630NS datasheet
155.06Kb
11стр.