Версия для печати
Технические характеристики NTD20N06LT4G

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	990pF @ 25V
Power - Max	1.36W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...		8	203.50
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	Analog Devices Inc
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	США
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES	9
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	AD1
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	JSMICRO	4 835	55.28
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	731
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM	32 058	100.22
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM/DALLAS	141	99.99
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,			364.00
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	Maxim Integrated Products
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	КИТАЙ
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGR
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX/DALL
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGRATED	4 720	93.08
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	ANALOG DEVICES
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	4-7 НЕДЕЛЬ	294
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1585
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	FAI/QTC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	92.13
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	VISHAY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	КИТАЙ
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MIC	170	25.56
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YJ	11 044	18.59
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MCC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TSC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)		3 560	21.41
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY ME
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	HOTTECH	270	53.36
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KLS	30 016	29.41
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	PANJIT
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	SUNTAN
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE	33 680	23.21
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	1
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KEEN SIDE	932	13.53
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MERRYELC	1 403	15.22
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FAIR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS	399	111.88
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FSC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...		4	264.60
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMicroelectronics
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	PMC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	КИТАЙ
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRO
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMICROELECTR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	MULTICOMP
		UC3843BD1			ST MICROELECTRONICS	800	39.04
		UC3843BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC3843BD1
		UC3843BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC3843BD1			STMicroelectronics
		UC3843BD1			ON SEMICONDUCTO
		UC3843BD1			STMICROELECTR
		UC3843BD1			4-7 НЕДЕЛЬ	577

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"