Версия для печати
Технические характеристики NTD20P06LT4G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 7.5A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1190pF @ 25V
Power - Max	65W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM	23 388	113.65
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM/DALLAS	257	104.93
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,			364.00
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	Maxim Integrated Products
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	КИТАЙ
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGR
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX/DALL
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGRATED	4 800	97.68
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	ANALOG DEVICES
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	4-7 НЕДЕЛЬ	294
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1585
		NES-25-15			MEANWELL
		NES-25-15			MW
		NES-25-15			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		NES-25-15			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		NES-25-15			КИТАЙ
		NES-25-15
		NES-25-15			MEAN WELL
		NTD24N06LT4G		Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт	ON SEMICONDUCTOR
		NTD24N06LT4G		Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт	ONS
		NTD24N06LT4G		Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт	ON SEMICONDUCTOR
		NTD24N06LT4G		Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FAIR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS	472	84.69
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FSC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...		4	264.60
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMicroelectronics
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	PMC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	КИТАЙ
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRO
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMICROELECTR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	MULTICOMP
		UC3843BD1			ST MICROELECTRONICS	800	39.04
		UC3843BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC3843BD1
		UC3843BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC3843BD1			STMicroelectronics
		UC3843BD1			ON SEMICONDUCTO
		UC3843BD1			STMICROELECTR
		UC3843BD1			4-7 НЕДЕЛЬ	577

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"