MBRS130LT3G
Диод Шоттки 1А, 30В SMB
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 445mV @ 2A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 1 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| 0.125ВТ 0805 100 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
 |
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | MICRO CHIP | 18 | 48.11 | |
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K |
|
38.24 | ||
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | MICRO CHIP |
|
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | Microchip Technology |
|
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | 4-7 НЕДЕЛЬ | 460 |
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | MICRJCHIP | 104 | 31.80 | |
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K | 131 |
|
|
|
| LM5110-1M/NOPB | NSC |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB | National Semiconductor |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LM5110-1M/NOPB |
|
|
||||||
 |
|
LM5110-2M/NOPB |
|
National Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
LM5110-2M/NOPB |
|
|
|
