IRF7324PBF
Транзистор P-канальный -20В -9А
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2940pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 12 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS | 235 |
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом |
|
|
|||
 |
 |
IRF7324 |
|
Hexfet power mosfets dual p-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | 8 | 98.28 | |
|
|
|
IRF7324 |
|
Hexfet power mosfets dual p-channel | 18 | 166.32 | ||
|
|
|
IRF7324 |
|
Hexfet power mosfets dual p-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | 2 |
|
|
|
|
|
IRF7324 |
|
Hexfet power mosfets dual p-channel | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7324 |
|
Hexfet power mosfets dual p-channel | 1 |
|
|
|
| KONTAKT PCC 200ML | CRC |
|
|
|||||
| KONTAKT PCC 200ML |
|
886.60 | ||||||
| KONTAKT PCC 200ML | CRC INDUSTRIES |
|
|
|||||
| LM1117GS-ADJ | HTC TAEJIN | 4 232 | 15.97 | |||||
| LM1117GS-ADJ | HTC | 6 909 | 12.20 | |||||
| LM1117GS-ADJ |
|
|
||||||
| LM1117GS-ADJ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 594 |
|
|||||
| LM1117GS-ADJ | TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
