HC-SR501 INFRARED PIR MOTION SENSOR MODULE

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HC-SR501 INFRARED PIR MOTION SENSOR MODULE (HKSHAN)	177	90.87

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF3205STRR	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205STRR	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205STRR	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON
LM317T-DG		STMICROELECTRONICS
LM317T-DG		ST MICROELECTRONICS
LM317T-DG			1 640	14.81
LM317T-DG		1
LM317T-DG		4-7 НЕДЕЛЬ	576
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 834	12.09
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot			123.56
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	STMicroelectronics
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	КИТАЙ
TL431BIDBZR,215		NXP Semiconductors
TL431BIDBZR,215		NXP
TL431BIDBZR,215		NEX
TL431BIDBZR,215			6 560	7.33