HC-SR501 INFRARED PIR MOTION SENSOR MODULE

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HC-SR501 INFRARED PIR MOTION SENSOR MODULE (HKSHAN)	113	119.08

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM317T-DG		STMICROELECTRONICS
LM317T-DG		ST MICROELECTRONICS
LM317T-DG			2 168	20.49
LM317T-DG		1
LM317T-DG		4-7 НЕДЕЛЬ	576
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	113	13.81
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot			123.56
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	STMicroelectronics
STP4NK60Z	N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	КИТАЙ
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS	400	29.96
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W		2 329	28.93
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	STMicroelectronics
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ТАИЛАНД
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST1
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRO
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	STMICROELECTR
UC3844BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3844BD1		ST MICROELECTRONICS	26	71.83
UC3844BD1				52.00
UC3844BD1		ON SEMICONDUCTOR	256
UC3844BD1		STMicroelectronics
UC3844BD1		ST MICROELECTRONICS SEMI
UC3844BD1		4-7 НЕДЕЛЬ	213