Версия для печати
Технические характеристики JNR20S050M

Тип	JNR
Область применения	Ограничение пусковых токов
Конструктивное исполнение	Диск
Сопротивление при 25 грд.С, Ом	5
Точность, %	20
Максимальный рабочий ток, А	7
Диаметр корпуса, мм	20

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8065ARZ		Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		AD8065ARZ		Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, ...		88	220.80
		AD8065ARZ		Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, ...	ANALOG
		AD8065ARZ		Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		AD8065ARZ		Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шин питания, 145 МГц, 180 В/мкс, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	678
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot			123.56
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	STMicroelectronics
		STP4NK60Z		N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot	КИТАЙ
		КР140УД1101				1	75.60
		КР140УД1101			МИКРОН
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	КРЕМНИЙ	532	14.84
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...		897	34.02
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	МИНСК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	БРЯНСК	5 532	17.60
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ЭЛЕКС	880	46.49
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	6969
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		923	28.52
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	400	32.79
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 555	38.16
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	3 610	16.96
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	257
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	3194
		КТ817В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	4316

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"