|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 810pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
|
FQP6N60C (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD |
|
2.16 | |||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | ON SEMICONDUCTOR | 1 | 2.96 | ||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | ONS | 195 064 | 1.62 | ||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | LRC |
|
|
||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | 0.00 |
|
|
||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | ONSEMI |
|
|
||
|
|
BC847CLT1G |
|
Транзистор биполярный SMD | 470 | 1 | 1.13 | ||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 520 |
|
||
| ВЕНТИЛЯТОР 92Х92Х25ММ 12В FD9225S12H DC (СКОЛЬЖЕНИЯ) FANOVER |
|
|
||||||
| ВЕНТИЛЯТОР 92Х92Х25ММ 220В 9225HSL AC (СКОЛЬЖЕНИЯ) |
|
|
||||||
| Д R2KS(VZ=120-145V) | SANKEN |
|
|
|||||
| Д R2KS(VZ=120-145V) |
|
42.80 | ||||||
| Д R2KS(VZ=120-145V) | ФИЛИППИНЫ |
|
|