| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
324 134
|
3.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
86 136
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
70
|
1.75
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.40
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
474 920
|
1.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
2 411
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
78 723
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
86 372
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
105 600
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
299 506
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
172 180
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KEEN SIDE
|
9 726
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
RUME
|
43 200
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
|
AD7997BRU-0REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD7997BRU-0REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD7997BRU-0REEL |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADP3605AR-REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADP3605AR-REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ATxmega128A4 |
|
8/16-битные микроконтроллеры avr xmega
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 673
|
2.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
246
|
1.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
15 029
|
1.41
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.17
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 398
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
7 304
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.08
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
110 751
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
29 209
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
8 637
|
1.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
58 697
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
50 884
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
76 800
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
67 200
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|