FM25H20-DG
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free
|
Память F-RAM объемом 2 МБит, 100 трил. циклов перезаписи, интерфейс SPI 40 МГц, напряжение питания 2,7 - 3,6 В, температурный диапазон -40+85, корпус 8 pinTDFN, PB free |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 184 |
|
|||||
 |
 |
IRL3714ZS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRL3714ZS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
218.80 | ||
 |
MAX4129ESD | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX4129ESD |
|
540.00 | |||||
|
|
MAX4129ESD | Maxim Integrated Products |
|
|
||||
|
|
MAX4129ESD | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX4129ESD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 511 |
|
||||
 |
|
MMDF1N05E |
|
Power mosfet 1 amp, 50 volts n?channel so?8, dual | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
| VS-30BQ015TR | VISHAY |
|
|
|||||
| VS-30BQ015TR |
|
101.32 |
