|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
BOURNS
|
235
|
|
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
CECL-1200/96 122K |
|
|
|
|
7.80
|
|
|
|
CECL-1200/96 122K |
|
|
R6
|
|
|
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
MUR
|
4 455
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
MURATA
|
15 840
|
1.45
|
|
|
|
RC0805FR-07100KL |
|
Чип резистор 0805, 100кОм, 1%, 0,125 Вт
|
|
|
1.48
|
|
|
|
RC0805FR-07100KL |
|
Чип резистор 0805, 100кОм, 1%, 0,125 Вт
|
Yageo
|
2 056 559
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
RC0805FR-07100KL |
|
Чип резистор 0805, 100кОм, 1%, 0,125 Вт
|
YAGEO
|
2 580
|
|
|