| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
6 554
|
16.35
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
BOURNS
|
3 120
|
19.63
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
|
|
19.84
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
1
|
1
|
14.71
|
|
|
|
CM322522-470KL |
|
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
CM322522-470KL |
|
ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
66 347
|
1.94
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 885
|
5.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
388
|
2.16
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
2 482
|
5.41
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 812
|
2.38
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
1
|
2.47
|
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
MUR
|
14 056
|
15.50
|
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
MURATA
|
|
|
|