К504НТ1Б
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2П306Б | 9 | 261.27 | |||||
|
|
2П306Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
2П306Б | НОВОСИБИРСК |
|
|
||||
|
|
2П306Б | RUS |
|
|
||||
| К140УД1А | 2 | 610.50 | ||||||
| К140УД1А | РОДОН |
|
|
|||||
| К140УД1А | КВАЗАР |
|
|
|||||
| К504НТ2Б |
|
230.40 | ||||||
| К504НТ2Б | ТОНДИ |
|
|
|||||
 |
КП 103Л1 |
|
Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт | 704 | 33.60 | |||
 |
 |
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 800 | 34.02 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
