К504НТ2Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| К198НТ1Б ЗОЛ 84-88Г | 4 | 226.80 | ||||||
| К504НТ1Б |
|
|
||||||
| К504НТ1Б | ТОНДИ |
|
|
|||||
| К504НТ1Б |
|
|
||||||
 |
 |
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 2 012 | 5.47 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 880 | 12.40 | |
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 191 |
|
|
|
 |
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 801 | 37.48 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
|
 |
КР159НТ1В | 866 | 37.48 | |||||
|
|
КР159НТ1В | ТОНДИ | 118 104 | 5.30 | ||||
|
|
КР159НТ1В | 140718 |
|
|
||||
|
|
КР159НТ1В | 7088 |
|
|
