К504НТ2Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| К153УД2 ЗОЛ. 82-83Г | 3 | 415.80 | ||||||
 |
КП103Л | 82 | 124.74 | |||||
|
|
КП103Л | ВИННИЦА |
|
|
||||
 |
 |
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА |
|
113.52 | ||
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | ВИННИЦА |
|
|
|
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП103М1 |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА |
|
29.96 | ||
|
|
|
КП103М1 |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | ВИННИЦА |
|
|
|
|
|
|
КП103М1 |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | RUS |
|
|
|
 |
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | 48 031 | 7.40 | ||
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | НАЛЬЧИК |
|
|
