К504НТ2Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2П306Б | 9 | 261.27 | |||||
|
|
2П306Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
2П306Б | НОВОСИБИРСК |
|
|
||||
|
|
2П306Б | RUS |
|
|
||||
| К504НТ1Б |
|
|
||||||
| К504НТ1Б | ТОНДИ |
|
|
|||||
| К504НТ1Б |
|
|
||||||
 |
 |
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 3 815 | 3.40 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 960 | 16.53 | |
 |
КП 103Л1 |
|
Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт | 704 | 33.60 | |||
 |
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 800 | 34.02 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
