LMC6482AIM/NOPB

Версия для печати

Технические характеристики LMC6482AIM/NOPB

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 15.5 V, ±1.5 V ~ 7.75 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	1.3mA
Напряжение входного смещения	110µV
Ток - входного смещения	0.02pA
Полоса пропускания	1.5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	1.3 V/µs
Тип выхода	Rail-to-Rail
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Rail-to-Rail

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Производитель	Количество	Цена, руб.
7805ABD2T (L7805ABD2T)	ST MICROELECTRONICS
GSIB2580-E3/45	VISHAY	416	113.65
GSIB2580-E3/45		296	95.28
GSIB2580-E3/45	GS
GSIB2580-E3/45	Vishay/General Semiconductor
GSIB2580-E3/45		296	95.28
ISO7221ADR	TEXAS INSTRUMENTS
ISO7221ADR	TEXAS
ISO7221ADR	TEXAS INSTRUMEN
ISO7221ADR		1 436	52.14
ISO7221ADR	TEXAS INSTRUMENTS
ISO7221ADR	4-7 НЕДЕЛЬ	72
MCP6001T-I/OT	MICRO CHIP	5 128	15.73
MCP6001T-I/OT	Microchip Technology
MCP6001T-I/OT		4 251	21.61
MCP6001T-I/OT	MICRO CHIP
MCP6001T-I/OT	FULIHAO TECH	3 360	15.50
MCP6001T-I/OT	FULIHAO	4 960	16.84
MCP6001T-I/OT	YOUTAI	16 716	10.10
MCP6001T-I/OT	4-7 НЕДЕЛЬ	144
NCP551SN50T1G
NCP551SN50T1G	ON SEMICONDUCTOR
NCP551SN50T1G	ONS	2	36.53
NCP551SN50T1G	ON SEMICONDUCTOR
NCP551SN50T1G
NCP551SN50T1G	4-7 НЕДЕЛЬ	739